半导体电镀中45nm铜工艺面临的挑战
日期:2012-11-28 10:44
具有同等甚至更强电流承载能力的同时可以做得更小、更密集。此外,还可以将铜导线做得更薄,从而减小相邻导线之间的互相干扰。低电阻还意味着可以提高芯片速度,因为RC时间延迟中的R因子变小了。当然,减小RC延迟的C因子也可以提高速度,这就是为什么我们对低k电介质感兴趣的原因。
VLSI Research Inc.总裁Dan Hutcheson认为,尽管由于早期铜工艺遇到的可靠性等问题给一些人造成了铜工艺是非常棘手的工艺的成见,但是现在世界上几乎每个生产130 nm逻辑器件的公司都在使用铜工艺。人们对铜工艺的了解已经非常透彻,而且良品率也很高,有
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