日期:2012-11-28 10:44
微通孔，还需要另外一层光刻和蚀刻步骤，因此又称为双嵌入式工艺(dual-damascene)。
双嵌入式工艺中，首先要沉积一层电介质，然后通过两道光刻和蚀刻(可能还需要硬掩膜工艺)在电介质中蚀刻出微通孔和导线沟道结构。由于铜的扩散速度很快，很容易在电介质内部移动使器件中毒，因此紧接着要沉积一层扩散阻障层;然后沉积上一层铜电镀种子层，种子层是铜电镀沉积反应(通常又称为铜填充)的必要条件。接着进行退火和平坦化处理。对铜进行平坦化处理和清洗后，再沉积上一层Si3N4或SiC介电材料层。至此，该工艺周期结束，然后开始重复下一个工艺周