日期:2012-11-28 10:44
期。 其中，Si3N4或SiC起到后续微通孔(via)蚀刻硬掩膜层的作用。当微通孔与下层金属导线未能很好对齐时，硬掩膜层可以防止蚀刻到下层金属导线的侧边。
铜导线的有效横截面积
当半导体向65 nm和45 nm及以下工艺发展时，铜工艺的主要问题是如何保证铜导线的电流承载能力不会变差。根据国际半导体技术蓝图(International Technology Roadmap for Semiconductor，ITRS)的定义，导体有效电阻率的幻数(magic number)为2.2u-cm。随着导线线宽的不断微缩，实现该标准的难度开始逐渐增加。原因有两个：首先，当导线尺寸接近铜的电子自由程(39