日期:2012-11-28 10:44
9.3 nm)时，电子散射问题开始突出。ITRS指出，导线和微通孔侧壁粗糙度、多孔低k电介质与侧壁间界面结构、扩散阻障层粗糙度和铜表面粗糙度都会给铜导线的电子散射效应造成负面影响，使电阻率增大。这些因素最终会迫使人们采用其它内连接方法，例如RF或光波波导来取代铜工艺，但那是几年以后的事情。现在，研究的重点是如何得到大金属颗粒和使表面尽可能光滑。
还有一个令人担心而且迫在眉睫的问题是当导线进一步微缩时通过PVD工艺沉积的铜扩散阻障层不能进一步变薄。Applied Materials公司Maydan技术中心总经理John T.C. Lee指出，相对