日期:2012-12-17 09:24
绝缘栅双极晶体管简称IGBT，是由电力晶体管(GTR)和功率MOSFET构成的一种新型复合器件。IGBT的图形符号如图9-5所示。它具有输入阻抗高、开关速度快、电流密度高、驱动功率小而饱和压降低等特性。目前IGBT的研制水平不断提高，将进一步降低通态压降和提高开关速度。目前产品已基本模块化，根据封装形式分为单独的IGBT、半桥IGBT、全桥IGBT、三相桥IGBT，容量已达到500A，1200V，在高频化中等容量领域占据主导地位。
(1) IGBT的伏安特性
IGBT的集电极对发射极的电压与电流的关系如图9-6所示。
图95 IGBT的图形符号
G一栅极l c一集