日期:2012-12-17 09:24
电极l E一发射极
图9-6 IGBT的伏安特性
从伏安特性中可以看出，输出电流IC由栅极电压VGE控制，栅极电压VGE越大，输出电流IC越大;当VGE达到击穿电压BVGE时，电流陡然升高，IGBT击穿;当VCE施加反向电压时，呈反向阻断状态。
IGBT的显著特点是利用栅极电压控制其开通与关断，所以IGBT属全控型器件。IGBT的过载能力不强，当电流过大时可能进入擎住效应而失去关断能力，因此电路中的短路保护必须极快，防止短路电流上升至擎住状态而失控。另外IGBT在导通状态的大电流区具有正的温度系数，所以有利于并联使用时的自动均流。
(2)IGBT的主