日期:2013-01-10 09:54
n-GaAs基体化学沉积钯的自动催化槽。
溶液A(配制900mL)：
0.39PdCl2溶于9mLHCl
5mL去离子水
864mL冰醋酸
22mLHF(40%)
溶液B(配制l00mL)：
NH2OHHCl，0.416g(0.06mol/L)
KHF2，0.937g(0.12mol/L)
KC1，14.912g(2.0mol/L)
柠檬酸(C6H807H2O)，2.101g(0.1mol/L)
去离子水
该镀槽获得了具有良好结构和结合力的镀层。后来，Stremsdoerfer等人报道该槽沉积的镀层经550℃热处理后形成良好的金属-半导体结(Pd/nGaAs结)[16]。
Nawafune等人[17]报道了用甲酸作还原剂的钯-乙二胺络合物槽化学镀纯钯的沉积条件，化学镀纯钯的基本工艺规范