日期:2013-01-10 10:00
离单个晶体[39,41]获得这样的介质，为了减少杂波[42,43]必须有效地保证分离条件。化学沉积介质中，Zn与C0合金体系的共沉积能够有效地分离晶体，并获得极细的晶体结构，产生较高的H。和较低的杂波[44,45]。图l91表示CoNiP和CoNiZnP横向记录介质的典型MH曲线和SEM、TEM图，表192列出了它们的磁性。最近在高记录密度上取得进展，溅射C或Si02膜顶层厚度不到10nm，但具有同样的磁性。由于化学镀CoNiP和
表191 化学镀CoNiP和CoNiZnP横向及垂直记录介质的槽液组成和操作条件
图191化学镀CoNiP和CoNiZnP横向记录磁介质的典型MH曲