日期:2013-01-14 10:11
而影响半导体哗啦的性能。
气相沉积的多晶Al膜的晶粒尺寸随着沉积过程中吸附原子或原子团在基片表面迁移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小将取决环于基片温度、沉积速度、气相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光洁度和化学活性等因素。
由于电子束蒸发的基片温度Ts=120C，蒸发速率2025A/s，蒸汽Al原子的能量为0.10.3eV，而溅射的基片温度Ts=120C，溅射速率8000A/min(133.3A/s)或10000A/min(166.7A/s)，溅射阈为13eV，溅射Al原子的能量比电子束蒸发的Al原了能量高12个数量级，所以电子束蒸发的Al原子碰到基片，很