日期:2013-01-14 10:11
L，清洗室CL和溅射成膜室SP组成。所有溅射过程都是在这四个室中完成的，避免了空气和杂质的污染，能够获得高质量的膜层。磁控溅射镀Al的典型工艺参数为：本底真空度1.3 10-4Pa以下;溅射速率：8000A/min或者10000A/min 基片温度：200C;靶-基距：5cm;阴极电压：420V(在300600V之间);电流：13A;溅射真空度：0.131.3Pa;溅射角：58;溅射时间：2min/片，具体时间视片数而定。
2 性能测试与分析
为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了电子束蒸发与磁控