日期:2013-02-21 09:05
采用电镀技术来填满微导通孔的工艺是以倒置充填模式来进行的，也就是说，在电镀铜过程中，微导通孔的底部发生的铜沉积速度是最快的。但是，在制造IC封装基板时，由于HDI的要求和今后三维结构的情况下，不仅微导通孔需要填孔，而且通孔内也要进行填孔。不管怎样，通孔的几何特性(形状、结构、尺寸等)总是与微导通孔有差别，必然带来液体(镀液)流动特性的不同。文献报告指出，对于微导通孔倒置填孔来说，强迫的迁移(对流)作用是一个重要的物理因素，也就是说，强迫的迁移可以强有力地冲击板的表面，而微导通孔的底部能够接受的有力(动态)冲击