日期:2013-02-21 09:05
配方，即用于通孔铜沉积的是含有强抑制剂的镀液，它是以地形分布的电压(电流密度)关系方式而进行吸附的，使抑制剂的吸附浓度从孔口到孔内中心处形成浓度差。在电镀过程中，理想地建立了这种浓度差分布，则最快的铜沉积速度将发生在孔内中心处。
在通孔电镀中，采用无加速剂组成的填孔机理是以改善(调整)吸附-消耗-扩散模式为基本概念的。其中，要考虑的是具有正电荷的添加剂的迁移问题。实际上，由于有四元铵盐的很多整平剂将挤压正电荷，因此，当这种添加剂能够导致通孔(TH)的中心具有填塞孔的作用效果时，则因为有AFF的迁移，似乎也是有