日期:2013-03-12 09:52
金属1的密度，n为金属离子的价数，F为法拉第常数，k为阴极过电位，K1和K2为常数。
由以上公式可以看出，阴极过电位k与形核半径rC和自由能G成反比，与形核几率W成正比。过电位愈大，则形核半径和形核所消耗的能量愈小，增大形核几率，则沉积过程中晶核的生成速度大于成长速度，可使沉积层微观晶粒细小致密。
实验方法如所示，阳极为Ni(80%)Fe(20%)合金靶，阴极为蒸发(Cu/Cr)种子层的单晶硅片，采用电子恒温水浴加热系统，机械式搅拌，过滤装置为蠕动式机械泵，其优点是镀液循环不经过泵体，因此没有污染问题，电源采用自行研制的脉冲可调