日期:2013-03-12 09:52
，因此本实验利用活性金属铬作为中间层来改善，这是因为铬容易氧化而形成化学键，为薄膜金属键和硅共价键之间提供了一个桥梁。为各膜层结构图。经多次实验摸索出合适的工艺参数为：t=5055，pH=3237，搅拌转数为15r/min20r/min，电流密度02A/dm206A/dm2，电镀速率约15m/h.
Si基Cr/Cu/NiFe膜的制作实验样片电镀脉冲电流频率为100Hz300Hz，所获得的沉积层结构致密、表面光洁、无针孔。沉积完毕后进行清洗、干燥，以备测试。采用HITACHIS4800扫描电镜(SEM)(电压15kV)以及美国Di3100S型原子力显微镜(AFM)对沉积层进行观察。
电流密度对沉积层