日期:2013-03-13 17:28
积的硫化物增加了镀层的脆性和耐蚀性，硫元素具有半导体电子传导特性，增强了晶体间电子的流动性，因而有助于提高镀层的光亮度。另一方面，它们与镍离子形成络合物，降低阴极附近游离的镍离子浓度，浓差极化作用增强，同时由于配合物的迟缓放电效应，也使得阴极过电位升高。
2.2 过电位因素
由耳德格鲁兹(Erdey-Gruz)和沃尔麦(Volmer)提出的二维晶核形成和三维晶核形成速度与过电位k的关系分别为：式中N是单位时间内形成的晶核数;a、b是几何常数;k为过电位。
由上式可知：影响晶核形成速度的电化学因素主要是过电位，过电位升高有利于新