日期:2013-03-21 08:54
d，则镀层厚度可通过下式求得：
1.2 金微粒半径
晶芽形成时，自由能的变化GN可表示为[2]：
GN=P-N(4)
式中：为边界能的平均值;P为晶核的周长;N为晶核中原子的数目;为原子在溶液中与在晶核中的化学位差。
当晶核中的原子数目达到临界值NC时，晶核是稳定的。定义此时的GC为临界晶核生成能：
式中：g为二维晶核的几何因子;c为阴极的过电位;q为沉积一个原子单层所需的电量;ro为临界晶核半径。
2 实验
2.1 试片准备
首先使用LDJ-2A-F150型溅射镀膜机对7.62cm硅片进行初步溅镀金。在源能量400eV，束流60mA，中和电流72mA，溅镀时