铝合金表面硅烷处理技术的研究现状
日期:2013-04-03 10:41
阴极电位(为-0.8V)。如果电位过正则不利于成膜;而电位继续变负,由于氢气生成并溢出破坏表面,使得膜层表面呈现多孔形貌。
除了以上涉及的硅烷处理工艺,近年来,等离子体沉积技术也被引入硅烷处理中。该工艺具有实验参数易于控制、涂层纯度容易获得、不使用溶剂、对环境友好等优点。但是,由于真空系统费用昂贵以及真空反应器必须要封闭,造成其难以在工业上得到推广。
3硅烷处理技术的改性研究
硅烷膜能对铝合金基体起到良好的防腐作用,与基体结合良好,并且可以通过不同的制备工艺来增强和改进其耐蚀性和力学性能。但是,目前的铝合
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