日期:2013-04-09 15:17
化学镀铜沉积分两步进行:①薄膜阶段(相当于3m);②增厚阶段。
1薄膜阶段
薄膜形成机理的特点是三个同时进行的晶体产生过程[32~34]:成核,生长,聚结三维晶粒(TDC)。
在单个铜晶基体(100)面上化学沉积铜的初始阶段,TDC的平均密度随沉积时间的增加而提高,该阶段中成核是主要过程[32~34],TDC的平均密度达到一个最大值,然后随着时间的延长而降低。在TDC密度降低过程中,聚结是主要的晶体产生过程[34],通过横向生长和TDC的聚结形成连续的化学镀层。由于镀层的许多物理性能取决于聚结的类型,聚结过程应引起特别注意。TDC的聚结有两