日期:2013-04-09 15:17
种类型：一种是没有恰如其分地填满TDC间的空隙，导致杂质和添加剂掺入，产生应力、空穴和错位[如图l76(b)所示]；另一种是正好填满TDC间隙，晶体连接良好[如图l76(a)所示]，镀层质量优于第一种聚结方式[35,36]。聚结过程(类型)很大程度取决于溶液中添加剂的浓度和类型[34]，Sard和Rantell[37]研究了
图176三维晶粒(TDC)的两种聚结方式：(a)良好连接的TDC，镀层质量优良；(b)不规则连接晶体，导致杂质或添加剂掺入，产生应力空穴和错位
2增厚阶段
形成连续薄膜以后，大多数情况下厚(1～15m)膜层的沉积经过以下过程[27,38～41]：①优先