日期:2013-04-09 15:22
研究发现，镀层在200℃的H2中热处理后，其电阻率降至l．8～1．9,cm[58]。纯铜的电阻率为1．7812cm。
图179化学镀铜沉积速度(o)和电阻率(口)与溶液温度的关系
5电迁移阻抗
金属自由电子理论认为，价电子(导电电子)能够在金属中自由移动，电场中电子向正极方向移动，在金属中产生电流，用自由电子移动[61]可以解释金属的高导电性。根据现代量电子理论，电子的散射通过晶格产生电阻[61～64]。当电流密度较低时，散射不会引起金属晶格中离子的大位移；但在高电流密度(104A／cm2)下，电子的传递(电流)可以移动晶格中的金属离子，并且产生