日期:2013-04-09 15:22
质传递(电迁移)导致微电子元件中导线产生缺陷，电迁移使得导线形态发生变化，阴极出现空穴，阳极产生小丘。
图1710高电流密度(i)104A／cm2)流动过程中电子动量向金属晶格
中金属离子转移的电迁移原子模型
集中电路中大部分使用铝基合金(A1-Cu、Al-Si)作互连材料，但由于铝合金的电迁移阻抗小，会引发故障。电迁移阻抗的一种表示方式是损坏时间，损坏时间的定义是由于电迁移阻抗导致电阻升高50％。在275℃时，化学镀铜的直流电流和脉冲直流电流寿命比Al一2％Si长2个数量级，在室温约长4个数量级[67,68]。
电迁移阻抗的另一种表示方