日期:2013-04-11 15:24
示CoNiP和CoNiZnP横向记录介质的典型MH曲线和SEM、TEM图，表192列出了它们的磁性。最近在高记录密度上取得进展，溅射C或Si02膜顶层厚度不到10nm，但具有同样的磁性。由于化学镀CoNiP和
表191化学镀CoNiP和CoNiZnP横向及垂直记录介质的槽液组成和操作条件
图191化学镀CoNiP和CoNiZnP横向记录磁介质的典型MH曲线以及SEM、TEM横截面图
表19-2化学镀CoNiP和CoNiZnP横向及垂直记录介质的磁性
CoNiZnP层存在腐蚀问题，20世纪80年代，用溅射磁盘工艺取代了镀覆磁盘工艺，如溅射C顶层的CoCrTa或CoCrPtTa介质[46]。
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