日期:2013-04-11 16:03
横向记录磁介质不断得到改善，而且它们的表面记录密度也一直在增加，硬磁盘的密度以l00倍／dec[47～49]的速度增加，达到了106位／英寸2(大生产水平[50]为I．44106位／英寸2，实验室水平[51,52]为5106位／英寸2)，并且已经提出了10106～20106位／英寸2的计划，最近据IBM[56]报道达到了20106位／英寸2的实验室水平，NEC公司利用高Bs[57]的MR头可以达到40106位／英寸2的水平。横向记录介质要求沿介质表面横向磁化，产生较高的Hc和较低的饱和磁化强度(Ms)，横向记录体系存在记录极限。
利用垂直磁化模型提出的垂直记录体系适合于高密数字记录