化学镀钴合金薄膜:用作垂直记录磁介质的化学镀钴合金
日期:2013-04-11 16:03
[60],与横向记录不同的是垂直磁记录过程不受退磁场的影响,该体系本身能产生超高密记录,可以达到l000106位/英寸2[61]的超高密能力。为了了解垂直记录体系,介质必须具有垂直磁性各向异性,也就是说,它必须容易沿介质垂直方向磁化,溅射沉积的CoCr膜层是一种较好的垂直记录磁介质[62,63],利用磁晶C轴各向异性来获得垂直磁性各向异性,通过nm级[64~67]的细柱状结构和成分分离获得垂直取向的hop结构和异向形状,这种独特的性能可以分离出铁磁晶体。
研究化学沉积垂直磁记录介质的第一个对象是CoWP膜层[68,69],它由c轴垂直取向的hcp晶
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