日期:2013-04-11 16:03
场图，从RHEED图可以看出，它们由C轴垂直取向的hep结构组成，其垂直各向异性源自晶体结构产生的磁晶各向异性，并由界面清晰、直径为30nm的粒子组成，具有柱状结构产生的显微形状异向，从而提高了垂直各向异性[89]。
图19-2化学镀CoNiP垂直磁记录介质的典型RHEED图和TEM明视场图
为了详细研究垂直记录介质的显微结构，讨论了它们的成分分离条件，这是溅射CoCr膜层获得优异性能的主要显微结构之一，利用选择性刻蚀方法，铁磁成分被溶解，留下非磁成分。
图193表示化学镀CoNiP膜层刻蚀处理前后[93]的典型TEM明视场图。镀态膜层由直径为