日期:2013-04-12 15:06
Bell实验室[1]1于1970年首先开发了不使用外电源在半导体和线路板上自催化的化学镀金槽，获得了较厚的纯软金层，镀槽中含KAu(CN)2(金源)、KBH4或(CH3)2NHBH3(还原剂)、KOH、KCN。表21-1列出了典型的槽液组成，原始镀槽中不含稳定剂，对杂质很敏感，微量杂质会使槽液自发分解。尽管如此，只要仔细控制沉积条件[2-5]，镀槽还是具有足够的稳定性，能够获得成功地用于生产连接半导体元件[6]的高纯软金层。某些公开文献中提到了其他成功应用：①GaAs微波场控晶体管[7]的金属化；②在nGaAs[8]上形成由Pd／Sn／Au膜组成的欧姆接触；③用于制造压电