日期:2013-04-12 15:33
氰化镀槽除了毒性外,还有一些原因不令人满意。基体上沉积的金镀层要适合常规的正性胶刻制线路图,而CN-影响光刻胶和基体间的界面,使光刻胶抬起,并在光刻胶下面沉积多余的金属。另外,氰化槽的高碱性也与正性光刻胶不相容,而且在硼氢化物或DMAB槽中,CN-的积累会降低沉积速度。基于这些原因,普遍要求使用无氰镀槽。
除了用金与氰化物的络合物[包括氰金(Ⅲ)酸盐]配制化学镀金槽外,还有亚硫酸金(I)络合物、硫代硫酸金(Ⅱ)络合物和硫代苹果酸金(I)等金盐。Mathe[45]和Ganu等人[46]评述了1980年以前开发的无氰化学镀金槽,读者可以参考这