日期:2013-06-04 14:50
上沉积第一层IT0膜，再在第一层IT0膜上沉积合金膜，然后在合金膜上沉积第二层IT0膜。镀膜时采用直流磁控溅射工艺，该工艺是在本底真空环境下通入工作气体利用电源使其产生等离子体对靶物质进行轰击，从而在衬底基板上获得沉积薄膜。其电源由脉冲电源串联直流电源构成，脉冲频率为20-100kHz，所述本底真空应优于lX10_3Pa。
在沉积ITO膜时，采用氧化铟锡陶瓷作为靶，其中ln203与Sn02的重量比为90：10;采用氩氧混合气作为工作气体，其中氧气占2～5%。沉积厚度控制在40～50nm。在通入工作气体前还在本底真空中通入水蒸汽。水蒸汽的通入采用这