日期:2013-06-04 14:50
：所述合金膜为银金合金，银、金重量比为95:5-97：3。
3、根据权利要求1或2所述的ITO镀膜板，其特征在于：所述合金膜的厚度为10-20nm,所述第一、第二层ITO膜的厚度为40~50nm。
4、一种ITO镀膜板的制备方法，是采用直流磁控溅射工艺在基板上沉积第一层IT0膜，所述直流磁控溅射工艺是在本底真空环境下通入工作气体利用电源使其产生等离子体对靶物质进行轰击，从而在各种衬底基板上获得沉积薄膜，其特征在于：还在第一层IT0膜上沉积合金膜，然后在合金膜上沉积第二层IT0膜。
5、根据权利要求4所述的ITO镀膜板的制备方法，其特征在于：所述