日期:2013-06-04 14:50
备方法，是采用直流磁控溅射工艺在基板上沉积第一层ITO膜，再在第一层ITO膜上沉积合金膜，然后在合金膜上沉积第二层ITO膜，所述直流磁控溅射工艺是在本底真空环境下通入工作气体利用电源使其产生等离子体对靶物质进行轰击，从而在各种衬底基板上获得沉积薄膜。
优选的是，所述电源由脉冲电源串联直流电源构成，脉冲频率为20~100kHz。
在沉积ITO膜时，可以采用氧化铟锡陶瓷作为靶，其中ln203与Sn02的重量比为90:10;采用氩氧混合气作为工作气体，其中氧气体积占2~5%。
优选的是，在沉积合金膜时，采用银金合金作为靶，采用氩气作为工作气