日期:2013-06-04 14:50
体，沉积厚度控制在10~20nm。
优选的是，在沉积IT0膜时，通入工作气体前还在本底真空中通入水蒸汽。
所述水蒸汽的通入可以用这样的方法：将水盛在密闭钢瓶中，然后将其蒸汽通过布气管道引入真空室，并通过针阀调节其流量。
优选的是，所述沉积过程均在低温下进行，基板温度不超过150C。
采用上述技术方案，本发明有益的技术效果在于：1)采用ITO/合金/ITO的多层结构，利用合金优良的导电性，可以获得很低的方阻;并且由于将ITO膜分为两层进行沉积，中间采用合金膜隔断ITO膜的柱状生长，有利于降低表面粗糙度。2)采用银金合金作为中间层