集成电镀和平面化的方法及其设备
日期:2013-06-17 14:53
明涉及半导体工艺,更具体地说,涉及用于在半导体晶片上电镀和平面化铜层的方法和设备。
背景技术
在半导体器件制造中,金属层的淀积和选择性去除是重要的工艺。典型的半导体晶片具有几层在它表面上淀积或电镀的金属层,在添加另外的层之前抛光或蚀刻每个连续层。通常,在晶片表面上电镀I是广泛熟练的工艺。通常在电镀铜(通常在晶片上制造铜的度盖层)之后进行化学机械抛光(CMP),以去除电镀层的不需要部分。当制造镶嵌结构时,CMP工艺也可用于电隔离镶嵌布线。
发明内容
本发明通过提供一种用于在衬底上电镀金属层并平面化该层的方
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