日期:2018-01-14 16:18
气相镀的装置包括反应气体输入部分、反应激活能源的供给部分和气体排除部分。目前一般分为三类：常压CVD、低压CVD和等离子体CVD。
1.常压CVD法
常压CVD一般用开管气流法。开管气流法的特点是能连续地供气与排气，一般物料的输运是靠外加不参加反应的中性气体来实现的。在绝大多数情况下，开管操作是在10^5Pa或稍高一点的条件下进行的。这样有利于废气从反应系统中排出。
开管法的优点是试样容易放进和取出，同一装置可以多次使用，沉积工艺条件容易控制，结果重现性好。
2.低压CVD法
低压CVD与常压CVD不同点是系统内的压力低于10^5Pa