日期:2018-04-19 09:20
◇特性：本品具有良好的覆盖能力和分散能力，使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成分可通过控制沉积条件任意改变，适合于制备CuInGaSe2、GaN、GaAs等相关的半导体薄膜;且制作方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。
◇用途与用法：本品主要应用于电镀金属Ga和Ga合金。
本品用于制备CIGS薄膜太阳电池，方法是以电镀Cu/溅射Mo/玻璃、金属箔或塑料作为阴极，Ga金属阳极或钛网为惰性阳极，放入上述溶液体系中，接通恒电流源或恒电位源，即可得到Ga薄膜，其工艺参数为电流密度范围20~200mA/