日期:2019-12-20 08:58
金属互联技术摩尔预测，每隔24个月单位面积上集成晶体管的数量将翻倍。目前的集成电路技术处在22/20纳米技术节点。未来硅基晶体管还将继续缩小，从现有的22纳米技术代一.路发展到4纳米技术代。目前，集成电路中接触孔工艺已经被局域互连技术替换。局域互连技术的关键在于第一层金属图形形成之前先形成通孔，再采用基于电镀技术的双大马士革工艺同时填充金属Cu(图7图8)。
2.三维电子封装技术随着集成电路中晶体管数量的逐年成倍增加，三维集成与封装技术越来越显示出其重要性。目前，三维集成与封装技术发展的重点在于三维叠层封