日期:2010-05-07 00:00
通过对于沉积铜物理特性的了解来设计分子添加剂系统。利用巴斯夫与IBM强大的资源，我们已经克服了在电镀铜方面的主要挑战，朝着制造更小、更快、更可靠芯片的目标又迈进了一步。”实现无缺陷的电导线沉积是成功沉积铜工艺最关键的条件。在电镀铜沉积工艺中，传统的等向性充填(conformalfill)会在形体的上、下、外围产生同样的铜沉积率，形成接缝及缺陷。通过采用巴斯夫的化学品可以实现快速的充填，一般称为“超填孔(superfill)”，可以将铜快速的充填至细小的通孔及沟槽，制造出无缺陷的铜导线。通过超填充的方式，底部的铜沉积率会比顶部