日期:2012-04-20 09:59
合成一体,能够大大提高膜基的结合强度王佩璇等采用此技术在316L不锈钢表面制备SiC薄膜,这项技术能够有效调节镀层中C与Si的原子比,也能控制镀层的厚度,C原子在高能量轰击下离开靶材,并极度均匀的分布在沉积环境中,使C/Si原子比能够等于或者大于1,且能同时发生氧化反应,生成硅的氧化物SiOx(0
2.4 化学气相沉积(CVD)法
CVD泛指由气态原料通过化学反应生成固体薄膜的沉积过程。反应的特点是,至少要有一种固态产物生成,并且以薄膜的形态沉积在基板表面上。CVD法采用的设备较为简单,且能控制成分的连续分布,基体可以是复杂形状的工件,而且镀层