日期:2012-04-20 09:59
表面光滑致密,均镀性比溅射镀膜强。
Causey等从1978年就开始研究SiC中氚的迁移特性,他们利用CVD技术制备具有(111)择优取向的β-SiC,涂层的厚度约为50~90μm。测试氚在此涂层的渗透率,结果表明在SiC中氚只有非常小的溶解度和扩散率,因而引起人们的关注。刘兴钊等[21]用直流磁控反应溅射方法制备TiN膜(0.5μm),并利用CVD方法在HR-1型奥氏体不锈钢表面上制备出了Cr2O3膜(2μm)。对制备得到的TiN/HR-1SS及Cr2O3/HR-1SS涂层的防氚渗透性能进行评估,结果表明:Cr2O3膜及TiN膜均具有一定的防氚渗透性能,采用哈姆参数(Hemmfaktor)(基体材料氢渗透率