牛津仪器“新型纳米技术先进工艺研讨会”在沪举办
日期:2016-04-01 11:15
深宽比结构的保形涂层,可微纳米应用提供精确可控的超薄膜。这款开放式进样热ALD可与等离子体进行集成,可现场升级与等离子体进行适配。



牛津仪器MEMS和传感器运营经理Mr.Michael Steel

牛津仪器MEMS和传感器运营经理Mr.Michael Steel带来《提高刻蚀产能新工艺》的精彩报告。Mr.Michael Steel主要介绍了刻蚀新工艺深硅刻蚀技术,这项技术增强了刻蚀工艺的灵活性。

PlasmaPro 100 深硅刻蚀专为HBLED材料苛刻的化学要求而设计,能在最大直径为200mm的晶圆上获得均匀、快速的蚀刻速率。配置的专用的静电夹还可以夹持蓝宝石、蓝宝
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