日期:2016-04-01 11:15
宝石上的GaN和硅，具备主动冷却电极可在蚀刻过程中维持样本温度不变、高功率ICP源可产生高密度的等离子体、磁隔离装置可用于增强离子控制和均匀度、高导电的泵送系统等特点。
最后，Dr.David Haynes又为参会人员带来《PECVD新技术》的精彩报告，报告介绍了感应耦合等离子体-化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积技术等。
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