日期:2012-04-20 09:59
距离比较薄镀层中的要远,可提供时间与空间来抑制锡晶须生长或使锡晶须在镀层内部形成凸块(hillock)结构,因此,锡晶须的生长会随镀层厚度的增加而减缓,其数量与长度随电流密度的增加而下降。但在各电流密度的条件下,显然仅厚度理论是无法解释锡晶须数量增加的情况的,此时必须考虑晶粒形态的影响。几种样品相比之下，10,15A/dm2制备的试片锡晶粒大小略相同,为最大,其次为5A/dm2制备的试片,20A/dm2制备的试片锡晶粒最小。锡晶须的成长主要与锡原子在时效过程中的晶界扩散有关,所以对于较细小的晶粒,有较多的晶界能够在时效过程中帮助锡原子扩散