电镀雾锡层锡晶须生长机制的研究
日期:2012-04-20 09:59
供渠道,可缓和锡晶须的生长。
2)在室温至60℃的温度下进行时效处理时,锡晶须较容易生长;但当温度更高时,将会使锡膜结构产生退火现象,从而减缓锡晶须的生长。
3)退火温度升高可使表面锡膜氧化层的厚度增加,该氧化层能够作为锡晶须生长的阻障层,延缓锡晶须的生长。


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