形成微弧放电时，每个电弧存在的时间很短，但等离子体放电区瞬间温度很高，W.Krysmann等计算出其温度可达到8000K。当微弧放电区域瞬间温度高达2000～5000℃时，可使表面薄膜微区融化导致氧化物的结构发生变化。试验过程中应当严格控制试验参数，防止出现生成的膜层发生溶解或膜层崩裂现象。微弧氧化膜表面分布有大小不等的微孔，这些微孔是氧化过程中等离子放电通道，微孔周围的火山丘状形貌为明显的烧结熔融痕迹，而高温烧结是氧化钛转变为陶瓷相的必要条件。微弧氧化又不同于常规阳极氧化技术，其工作电压由普通的阳极氧化法拉第区引入到