电沉积Zn0薄膜超声处理后结构和缺陷的研究
日期:2012-04-17 09:58
关 键 词:Zn0薄膜;超声处理;缺陷;光致发光
作 者:李敏,王树元,彭友舜,秦秀娟,邵光杰

李敏1,王树元2,彭友舜2,秦秀娟1,邵光杰1

(1.燕山大学环境与化学工程学院,河北秦皇岛066004;2.河北科技师范学院理化学院,河北秦皇岛066004)
摘要:以辛基酚聚氧乙烯(10)醚为有机添加剂,阴极电沉积制备了Zn0薄膜。经超声处理后,用X-射线衍射仪和光致发光光谱仪研究了Zn0薄膜的结构、应力状态和发光性能的变化。结果表明:样品的结晶性能变差,晶格内部的压应力变为张应力,于=395 nm处的激子发光峰和=580nm处的黄光发光峰强度
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