日期:2012-04-17 09:58
径小，更容易形成锌填隙原子( Zni)，因此，认为薄膜A和B中均可能存在Zni，导致薄膜中施主缺陷（氧空位VO、Zni）占主要优势[8]。进而推断出，位于580 nm的黄光发射是由VO和Zni复合引起的。
为了进一步证实对黄光发射的推断，根据Xu PS等[7]利用全势能线性多重轨道( FP-LMTO)方法计算的Zn0中5种本征缺陷和复合缺陷：氧空位(Vo)、锌空位(Vzn)、氧填隙(Oi)、锌填隙(Zni)和氧错位(Ozn)及VO和Zni的复合缺陷(VoZni)的能级[8]，画出了Zn0的能级图，如图3所示。样品A和B发光谱中出现的位于580 nm的黄光发射峰位与图3给出的VO和Zni复合缺陷能级到价