日期:2012-04-17 09:58
带顶的能量差2.17 eV基本一致，因此，得出Zn0的黄光发射峰是由Vo和Zni复合缺陷跃迁引起的。在样品B的发光谱中观察到的A位于428 nm(对应能量2.9 eV)的深能级发射峰位与图3给出的Zni缺陷能级到价带顶2.9 eV一致，因此，认为Zn0中蓝光发射主要源于Zni缺陷能级与价带顶能级间的跃迁[9]。此外，样品A具有较强的激子发光峰，并经过计算得到位于395 nm的紫外近带边发射峰与位于580 nm的黄光发射峰的强度比为10.9，而样品B的紫外近带边发射峰与黄光发射峰的强度比为2.7，相对于超声前的薄膜大大减小，这表明超声处理改变了薄膜内部的结构，使晶格中