日期:2012-04-17 09:58
，位于580 nm的黄光发射是Vo和Zni复合缺陷的跃迁引起的；位于428 nm的蓝光发射则来源于Zni缺陷能级与价带顶之间的跃迁。这表明超声处理过程中产生的热效应导致品格振动加剧并发生重排，使较多的Zn和O脱离格点，成为Zni和Vo，增加了薄膜内部缺陷的浓度，改变了薄膜表面的缺陷结构。
参考文献
[1]Fahoume M, Maghfoul O,Aggour M,' et al.Growth andcharacterization of Zno thin films prepared by electro-deposition technique[J]. Solar Energy Materials＆SolarCells,2006,90:1437- 1444.
[2]Marl B,Manjon F J,Mollar M, et al.Pho