日期:2012-04-17 09:58
比减小，同时发光谱中又出现了于=428 nm的蓝光峰。分析认为位于580 nm处的黄光发射是由VoZni复合缺陷与价带顶的跃迁引起的，而位于428 nm的蓝光发射则是由Zni与价带顶之间的跃迁引起。
关键词：Zn0薄膜；超声处理；缺陷；光致发光
中图分类号：0642；TG174.441文献标识码：A
引言
目前，广泛研究的纳米Zn0薄膜因具有良好的光电性、压电性、气敏性和透明导电性，使其在发光二极管、光探测器、表面声波器件、气敏传感器及太阳能电池的窗口等诸方面得到广泛应用。Zn0薄膜的制备方法很多，其中，电沉积方法以能通过沉积条件精确控制薄膜的