电沉积Zn0薄膜超声处理后结构和缺陷的研究
日期:2012-04-17 09:58
厚度和形貌、沉积速度快,而且设备简单,成本低,可在低温下操作,适合大规模工业生产而逐渐引起人们的关注[1-4]。通常用电沉积方法制备的Zn0薄膜的光致发光光谱有两条发光峰,发光中心分别位于=380 nm左右和510 nm左右。发光中心位于= 510 nm左右的绿光峰与Zn0薄膜中的缺陷有关,而发光中心位于380 nm左右的近紫外峰与带边激子跃迁有关[5],一般认为薄膜中的缺陷种类和浓度取决于薄膜的制备方法和工艺条件[5],这就是说,对制备方法和工艺条件确定的材料,其发光性质应该确定。很少有人注意超声后处理对Zn0薄膜发光性能的影响。超声处理过
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