日期:2012-04-17 09:58
ｅｒａｔｏｒ）、抑制剂（Ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）和平坦剂（Ｌｅｖｅｒｌｅｒ）。当晶片被浸入电镀槽时，首先进行的是均匀性填充，填充反应动力学受抑制剂控制。接着，当加速剂达到临界浓度时，电镀开始从均匀性填充转变成由底部向上的填充。加速剂吸附在铜表面，降低电镀反应的电化学反应势，促进快速沉积反应。在填充过程完成后，表面吸附的平坦剂会抑制铜的继续沉积，以减小表面的粗糙度。由于铜电镀要求在厚度均匀的整个硅片镀层以及电流密度不均匀的微小局部区域（超填充区）能够同时传输差异很大的电流密度，因此填充效果很大程度上